怎么有人挖坟

ESD防护的是chip外部对内部的放电，往往能量比较高，所以ESD保护的面积大

antenna effect 是在晶圆制造过程中，很多步骤都会产生电荷，比如蚀刻，如果gate只是连接到一个大片的metal上，静电就会在metal上积累，从而造成gate损坏

所以加antenna diode对metal的面积有要求，小的metal可以不加，因此antenna diode常加在长导线上，或者IP的input pin

当然，可以通过metal 走线的设计来尽量避免antenna effect

gate 只接到大片metal上，从布线上看，就是gate和其它管子的S/D 连接的设计问题，

举个例子

gate 接到metal 1，然后metal1走长距离之后，通过metal2 和S/D相连，这样在制造到metal1这层时，就会有较大的antenna effect

但是如果是gate接到metal1，然后通过metal2走长距离之后，再与S/D相连，显然这样的设计风险会小些

回复 15# tiancai2008

但是如果是gate接到metal1，然后通过metal2走长距离之后，再与S/D相连，显然这样的设计风险会小些

这种设计的天线效应不能够降低，因为在做metal2的时候，已经有via跟metal1连接了，这样metal2积累的电荷还是会通过metal1，传到gate上，damage gate

天线效应是在生产过程中的产生的现象，“通过metal2走长距离之后，再与S/D相连”这是不会产生天线效应的，为什么？因为metal2与S/D相连，S/D是扩散区，metal与扩散区相连是不会产生天线效应的，因为相当于metal与反向二极管相连，在gate击穿之前，早就泄放掉了。更何况，工艺中，每层metal做完，都是要有放电步骤的，所以是不会有天线效应的。一般情况下，反向二极管的击穿电压是6-8v，而栅的击穿电压是10v以上。