晶体管----（二极管，三极管，MOS管，IGBT）

晶体管大体可以分为如下四类

二极管（diode）

可以简单看做为一个PN结。

N型掺杂：掺入少量杂质磷元素

N型半导体就成为了含自由电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。

P型掺杂：掺入少量杂质硼元素

p型和n型半导体键合时，作为载流子的空穴和自由电子相互吸引、束缚并在边界附近消失。由于在这个区域没有载流子，所以它被称为耗尽层，与绝缘体的状态相同。

三极管（Bipolar Junction Transistor）

全称：双极结晶体管

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主要有两个功能：

放大开关 放大

假设一个三极管放大倍数是100，B级流过1mA，那么C级就会流过100mA。

通过这个放大功能可以制作音频放大器，可以把微小的声音信号放大。

开关

只有在给B级施加电压的时候，其C级才会导通。

MOS管

金属氧化物场效应品体管（Metal Qxide Semiconductor Field Effect Transistor）

一看就会的MOS管工作原理终于来啦！_哔哩哔哩_bilibili

三极管和MOS管区别

三极管为电流导通

MOS管为电压导通

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IGBT

绝缘栅双极晶体管（insulated Gate Bipolar Transistor）

如下图：IGBT可以看作是MOS管和三极管的合体

三极管导通电阻小，而驱动电流大

而MOS管导通电阻大，而驱动电流小

和三极管的合体

[外链图片转存中…(img-EiteB7JN-1709118822438)]

三极管导通电阻小，而驱动电流大

而MOS管导通电阻大，而驱动电流小

把它们组合到一块就能实现驱动电流小，导通电阻低的IGBT