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为了更好的描述及参照，以下参数大部分会重复记录，因此不一一重复描述，仅在第一次出现时加以概述。

肖特基二极管

简称 “SBD” 。利用金属和半导体二者的接合面的 “肖特基效应” 的整流作用。具有正向导通电压较低，导通恢复时间短的特性，但反向漏电流较多，突波耐受度较低。常见应用于高频整流（低压大电流）。

1、主要参数

重复性峰值反向电压 VRRM（Repetitive peak reverse voltage）：即使没有反向电流，只要不断地提高反向电压，迟早会使肖特基二极管损坏。这种能施加的反向电压，不是瞬时电压，而是反复施加的反向电压。一般在直流电压中相当于最大直流反向耐压，而在交流电压中则用另一个参数 VRMS 表示（下方）。平均正向整流电流 IF(AV)（Average forward rectified current）：指肖特基二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均正向电流峰值。浪涌电流 IFSM（Peak forward surge current）：允许流过的过星的正向电流。它不是正常电流，而是瞬间电流，这个值相当大。导通压降 VF（Instantaneous forward voltage）：VF 为肖特基二极管正向导通时肖特基二极管两端的压降，选择肖特基二极管是尽量选择 VF 较小的肖特基二极管。反向漏电流 IR（DC reverse current）：IR 指在肖特基二极管两端加入反向电压时，流过肖特基二极管的电流，肖特基二极管反向漏电流较大，选择肖特基二极管是尽量选择 IR 较小的肖特基二极管。

2、辅选参数

均方根反向电压 VRMS（Root-Mean-Square voltage）：指正弦交流信号的有效电压值，VRMS = (1/2√2) × VRRM ≈ 0.707 × VRRM ；这里主要是指正常情况下工作的最大有效电压值，可以理解为所能承受的最大反复施加的正反向电压有效值。有一些 datasheet 上可能没有提供该参数，但是会提供 VRRM 的参数，所以可以利用公式来获取数值。反向恢复时间 trr（Reverse recovery time）：当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当肖特基二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近 IR 时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。工作频率 fM：由于 PN 结的结电容存在，当工作频率超过某一值时，它的单向导电性将变差。肖特基二极管的 fM 值相对于其它二极管来说较高，小体积的肖特基二极管最高可工作在 50GHz 的频率，该参数一般没有提供，因为大部分肖特基二极管的工作频率差异不大。

PN 结二极管

一般也称为 “一般整流二极管”、“普通二极管” 。通过施加正向偏置，利用半导体中 PN 接合的整流性质来实现单向特性的应用，是最基本的半导体二极管。常见应用于低频整流以及与电感并联保护其他器件。

1、主要参数

重复性峰值反向电压 VRRM（Repetitive peak reverse voltage）均方根反向电压 VRMS（Root-Mean-Square voltage）平均正向整流电流 IF(AV)（Average forward rectified current）：可以理解为额定工作电流。导通压降 VF（Instantaneous forward voltage）浪涌电流 IFSM（Peak forward surge current）

2、辅选参数

直流阻断电压 VDC（DC blocking voltage）：当直流电压大于该参数电压，将会导致二极管击穿或烧毁。反向漏电流 IR（DC reverse current）：当施加安全的反向电压时，二极管处于反向截止状态，但此时会有一个反向的电流泄漏。

齐纳二极管

一般也称为 “稳压二极管” 。是利用二极管在反向电压作用下的齐纳击穿（崩溃）效应，制造而成的一种具有稳定电压功能的电子技术器件。齐纳二极管的正向偏置和一般二极管相同，但是其反向击穿电压（又称齐纳电压）的范围远大于一般的二极管，能承受比一般二极管更高的电压，而且齐纳二极管的反向电压操作是可逆的；常见的齐纳电压从 3 伏特到 100 伏特。常见应用于直流稳压。

1、主要参数

稳压值 VZ（Zener voltage range）：理想稳压管的稳压值是一个固定的电压数值，但实际真实稳压管的稳定电压会在一定范围波动，有些型号的稳压管应用手册中会给出标称稳定电压值，最小稳定电压值和最大稳定电压值，但也有些手册中只给出标称稳定电压值。该值一般是一个范围值，并且处在一定的 IZT 条件下才符合，因此大多标识为 VZ@IZT 。典型工作电流 IZT（Typical operating current）：也称为额定工作电流；额定工作电流是指稳压管可以长时间稳定工作，并且稳压性能最好时对应的工作电流值。功率消耗 PD（Power dissipation）：最大耗散功率是指可以稳定工作的最大功率值，在工作电路中稳压管的功率不应超过这个值。动态阻抗 ZZT and ZZK（Dynamic impedance）：由于 IZT 和 IZK 的存在，所以也分成了 ZZT 和 ZZK；一般写成 ZZT@IZT 和 ZZK@IZK ，分别表示在额定电流工作时的阻抗 ZZT 及在最小稳压电流时的阻抗 ZZK。稳压管的动态电阻等于电压变化与电流变化的比值。动态电阻越小稳压效果越好，这是因为动态电阻小，则相同电流变化引起的电压变化就越小，所以电压就越稳定。从稳压管的反向伏安特性可以看出，稳压管的工作电流越接近最大稳定工作电流则动态电阻越小，越接近最小工作电流则动态电阻越大。所以稳压管工作电流接近最大稳定工作电流时稳压效果才好。

2、辅选参数

膝点电流 IZK（Knee-point operating current）：即拐点电流，也称为稳压的最小电流；最小稳定工作电流是指可以使稳压管具有稳压功能的最小工作电流，如果稳压管电流小于这个值，会进入反向截止区，在反向截止区稳压管是没有稳压功能的。最大工作电流 IZM（Maximum operating current）：如果稳压管超过该电流则有烧毁危险。反向电压 VR（Reverse voltage）：一般是给 IR 值作参考，表示在未进入稳压状态下的最大反向电压，并且小于 VZ。反向漏电流 IR（DC reverse current）：一般标识为 IR@VR ，表示电压处于 VR 时 IR 的值，而此时的 VR 是 小于 VZ 的，因此并不能击穿齐纳管得到恒定的电压，这时就相当于一个反向阻断的普通二极管（可以看作不导通），但还是会有 IR 的漏电流。

开关二极管

一般也称为 “小信号二极管” 。它是专门为电路上的“开”和“关”而设计和制造的，顾名思义，就是指具有开关功能的二极管。该二极管具有在正向施加电压时通过电流(ON)和在反向施加电压时停止(OFF)电流的性能。与其它二极管相比，反向恢复时间较短，即开关二极管从导通状态到完全关断状态所用的时间较短。常见应用于开关电路。

开关二极管跟肖特基二极管很像，都具有反向恢复时间短的特性；但不同的是：

1、主要参数

重复性峰值反向电压 VRRM（Repetitive peak reverse voltage）平均正向整流电流 IF(AV)（Average forward rectified current）浪涌电流 IFSM（Peak forward surge current）功率消耗 PD（Power dissipation）均方根反向电压 VRMS（Root-Mean-Square voltage）反向恢复时间 trr（Reverse recovery time）

2、辅选参数

导通压降 VF（Instantaneous forward voltage）反向漏电流 IR（DC reverse current）

瞬态抑制二极管

一般也称为 “TVS 管” 。是一种用于过电压保护和 ESD 保护的器件，主要应用于保护后段的 IC 免受由静电和电源波动引起的意外过电压和浪涌。

1、主要参数

反向峰值工作电压 VRWM（Reverse stand-off voltage）：也称为反向关断电压。指设备可以连续承受的电压，没有雪崩破裂的危险。击穿电压 VBR（Breakdown voltage）箝位电压 VC（Clamping Voltage）峰值脉冲电流 IPP（Peak pulse current）反向漏电流 IR（DC reverse current）典型结电容 Cj （Typical Junction Capacitance）：一般在图中可找到线性参数。

2、辅选参数

测试电流 IT （Test Current）：结合图形查看参考。峰值脉冲功耗 PPPM（Peak pulse power dissipation）：定义为设备在给定脉冲条件下消耗的瞬时功率，并且是在给定瞬态事件期间TVS结中消耗的功率的度量。它通过以下关系式计算：PPPM = VC x IPP，其中 PPPM = 峰值脉冲功耗（W），VC =箝位电压（V），IPP = 峰值脉冲电流（A）。

PIN 型二极管

即在 P 型材料与 N 型材料中间插入一层低掺杂纯度的接近于本征半导体材料所组成的 I （Intrinsic）层。由于 I 层的存在，PIN 型二极管通常比普通的二极管拥有更宽的耗尽层，更大的接面电阻和更小的接面电容。常见应用于 RF 领域、光电探测器及高压整流器（如 FRD/SRD）。

常用参数（不同种类参考相应的参数）

快恢复/超快恢复二极管

简称 “FRD/SRD” 。与常见的二极管不同，它是在 P 型、N 型材料中间增加了基区 I ，构成 P-I-N 结构，属 PIN 型二极管的一种；因基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了 trr 值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。常见应用于开关电源、PWM脉宽调制器及变频器。

1、主要参数

重复性峰值反向电压 VRRM（Repetitive peak reverse voltage）平均正向整流电流 IF(AV)（Average forward rectified current）浪涌电流 IFSM（Peak forward surge current）导通压降 VF（Instantaneous forward voltage）反向漏电流 IR（DC reverse current）反向恢复时间 trr（Reverse recovery time）

2、辅选参数

均方根反向电压 VRMS（Root-Mean-Square voltage）直流阻断电压 VDC（DC blocking voltage）

功率二极管

功率二极管由重掺杂纯度的 N+ 层构成阴极，其上有一个轻掺杂的 N- 层外延包夹在重掺杂的 P+ 阳极层上，它们的交界处形成 PN 结，而这个外延 N- 层被称为漂移层。功率二极管与一般的二极管相比，具有更大的 PN 结面积，从而具有高达数百安培(KA)的高正向电流能力和高达数千伏(KV)的反向阻断电压。

主要要求：

1、主要参数

重复性峰值反向电压 VRRM（Repetitive peak reverse voltage）均方根反向电压 VRMS（Root-Mean-Square voltage）平均正向整流电流 IF(AV)（Average forward rectified current）浪涌电流 IFSM（Peak forward surge current）工作温结 TJ（Operating junction temperature）：是指电子设备中半导体的最高工作温度。在操作中，它通常较封装外壳温度（Case temperature）高。

2、辅选参数

导通压降 VF（Instantaneous forward voltage）反向漏电流 IR（DC reverse current）反向恢复时间 trr（Reverse recovery time）典型结电容 Cj （Typical Junction Capacitance）

参考：

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信号二极管

信号二极管可以说是一种大类型，其实上面的肖特基、普通的 PN、开关这些二极管有部分可称为信号二极管，它们之间存在着交集。因此选择参数只需选取适合的即可，这里就不去阐述了，看以下参考吧：

The Signal Diode

What are signal diodes?

拓展

VRWM、VRRM、VRSM 及 VBR 参数关系

相关资料