齐纳二极管是利用正（P）型和负（N）型半导体材料制成的掺杂正负（P-N）结的反向偏压特性的电压基准器件，而普通二极管具有较高的反向击穿电压，齐纳二极管的反向击穿电压低至1.2伏直流电（VDC）。齐纳二极管和普通二极管一样，有一个标记阴极或负极的带。在正向偏压中，阳极为正，阴极为负，齐纳二极管的工作原理与普通二极管类似。

科学家在烧杯处于反向偏压操作时，正常二极管在宽电压范围内保持开路状态。正常二极管的反向击穿电压约为160伏（V），这个电压是110伏交流（VAC）电源线电压的常见峰值电平。齐纳二极管的反向电压要低得多。例如，一个6.8伏齐纳二极管将达到击穿并保持其额定功率允许的电流。二极管中的功耗必须是二极管额定功率的一半左右。一个1瓦（W）齐纳二极管将允许最大0.147安培（a）。一个好的做法是允许一半的额定功率在因此，电流应减半至0.0735 A或73.5毫安（mA）。在该电流下，1W-6.8V二极管将变热。应注意的是，该二极管将能够为6.8V的外部负载提供约70mA的电流。这使该二极管成为一个简单的调压器。齐纳二极管可连接至电压跟随器件，如负-正-负（NPN）双极结晶体管（BJT）发射极跟随电路。以前，正输出位于反向偏置阴极，因此阴极将连接到NPN-BJT的基极发射极跟随器将跟踪基极电压，并利用其增益提供与基极电压几乎相同的发射极电压-这使它成为发射极跟随器。BJT发射极将跟随二极管的电压减去大约0.7 V硅基发射极间的电压降，发射极的输出约为6.1 VDC如果晶体管正向电流增益的正向传输常数为100，则二极管和晶体管的相互作用可提供约6.1 VDC的调节电压，从0 a到约6 a。