先说结论：器件的击穿电压与器件是多少V工艺没有必然联系，二者不是正比关系。

器件的耐压特性与器件设计制造中的多个因素有关，包括但不限于“掺杂浓度” “结构设计” “材料” “制造工艺”

1.掺杂浓度：掺杂浓度越高，空间电荷区越窄，击穿电压越低，在您提到的例子中，可能5V器件采用了较高的掺杂浓度以满足器件的其他性能指标（如导通电阻等），这可能是导致5V器件耐压反而低于1.8V器件的一个原因。

2.器件结构：虽然都是diode，因没有相关结构说明，可能5V器件的结构布局分布尺寸等因素与1.8V不同，导致BV特性不同

3.工艺差异：不同的制造工艺会对器件的电学特性产生影响。例如，在某些高电压工艺中，可能会使用特殊的制造技术或材料，这些变化可能会意外地降低某些器件的耐压特性。

4.测量与标定方法：Fab在耐压的量测方法及设定标准可能在不同的工艺中有不同的方法。

综上，二极管的耐压特性与它工作电压标称值（1.8V/5V）之间没有直接且固定的关系。耐压特性由器件的具体设计和制造工艺决定，需要详细靠擦具体的器件结构和工艺条件才能准确理解其耐压行为。在设计和选择半导体器件时，应参考详细的器件规格和Fab的数据，而不仅仅是基于工作电压的假设。

这也有点像理论与实际的偏差。