雪崩二极管（Avalanche Diode）和齐纳二极管（Zener Diode）是两种具有不同特性和应用领域的半导体器件。下面将分别介绍这两种二极管的基本定义、工作原理以及它们之间的主要差别。

一、雪崩二极管1. 定义

雪崩二极管是一种利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。它主要基于雪崩击穿效应来工作，即在反向电压达到一定值时，二极管中的电流会突然大幅增加。

2. 工作原理

雪崩二极管的工作原理基于雪崩击穿效应。当反向电压加到二极管两端时，电场会加速少数载流子（电子和空穴）。这些高速载流子在碰撞原子时会产生新的电子-空穴对，这些新产生的载流子又会被加速，从而产生更多的电子-空穴对，形成雪崩效应。这个过程会导致电流迅速增加，形成雪崩击穿。通过控制掺杂浓度和半导体材料的几何结构，可以精确控制雪崩二极管的击穿电压，使其在特定应用中非常有效。

3. 特性二、齐纳二极管1. 定义

齐纳二极管（Zener Diode）也被称为稳压二极管或金属-氧化物-半导体（MOS）二极管。它是一种具有特殊结构的二极管，能够在反向电压增加到一定程度时，反向电流急剧增加，但电压却基本保持不变。

2. 工作原理

齐纳二极管的工作原理基于P-N结的整流效应和齐纳击穿效应。当正向电压施加在P端，反向电压施加在N端时，电流可以流过P-N结；而当反向电压增加到一定程度（即齐纳电压）时，反向电流会急剧增加，但此时齐纳二极管的电压却基本保持不变。这种特性使得齐纳二极管可以作为稳压器或电压基准元件使用。

3. 特性三、雪崩二极管与齐纳二极管的差别1. 结构差异2. 工作原理差异3. 应用领域差异4. 性能特点差异

综上所述，雪崩二极管和齐纳二极管在结构、工作原理、特性和应用领域等方面存在显著差异。它们各自具有独特的优点和适用场景，在电子领域中发挥着重要作用。